日本ZA57630高精度阻抗分析儀
更新時間：2024-09-13
日本ZA57630高精度阻抗分析儀介紹：ZA57630可以滿足電子元件與材料分析：電池、SMD電感、一體成型電感、電感線圈、繼電器、變壓器、共模電感、陶瓷電容、變?nèi)荻O管、壓電元件、晶體振蕩器、薄膜、電解質(zhì)、磁導(dǎo)率、介電常數(shù)、生物醫(yī)學(xué)技術(shù)分析、CV測量：半導(dǎo)體、功率MOSFET、NFC/EMI/無線充電、bead、physics patches等。
| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 進口 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,能源,電子,汽車,電氣 |
日本ZA57630高精度阻抗分析儀介紹：
ZA57630可以滿足電子元件與材料分析：電池、SMD電感、一體成型電感、電感線圈、繼電器、變壓器、共模電感、陶瓷電容、變?nèi)荻O管、壓電元件、晶體振蕩器、薄膜、電解質(zhì)、磁導(dǎo)率、介電常數(shù)、生物醫(yī)學(xué)技術(shù)分析、CV測量：半導(dǎo)體、功率MOSFET、NFC/EMI/無線充電、bead、physics patches等。ZA57630可以滿足電子元件與材料分析：電池、SMD電感、一體成型電感、電感線圈、繼電器、變壓器、共模電感、陶瓷電容、變?nèi)荻O管、壓電元件、晶體振蕩器、薄膜、電解質(zhì)、磁導(dǎo)率、介電常數(shù)、生物醫(yī)學(xué)技術(shù)分析、CV測量：半導(dǎo)體、功率MOSFET、NFC/EMI/無線充電、bead、physics patches等。
基本精度
頻率范圍
阻抗范圍
測量 AC 信號級別
DC 偏置
測量時間
測量參數(shù)
±0.08%
10 µHz～36 MHz
10 µΩ～100 GΩ (模式: IMPD-EXT)
0.01 mVrms～3 Vrms
0.1 µArms～60 mArms
?5 V ～ +5 V/?40 V ～ +40 V (1 kHz以上)
100 mA ～ +100 mA
0.5 ms/point
Z, R, X, Y, G, B, Ls, Lp, Cs, Cp, Rs, Rp, θz, θy, D, Dε, Dµ,
Q, V, I, εs, εs’, εs",µs, µs’, µs", FREQUENCY
快速測量 業(yè)界.5 ms/point
實現(xiàn)了業(yè)界的0.5ms/point。
縮短生產(chǎn)線的節(jié)拍時間，提高測量作業(yè)的效率。
此外，通過增加設(shè)定的測量時間，使測量結(jié)果平均化，減輕噪聲的影響?？梢曅枰x擇合適的測量時間。
4種測量模式 應(yīng)對廣泛的DUT
IMPD-3T
標(biāo)準(zhǔn)測量模式
本模式可以在廣泛的頻率范圍內(nèi)進行高精度測量?？墒褂脺y試線及測試夾具，應(yīng)對各種形狀的試樣。
IMPD-2T
高頻測量模式
本模式可以在 10MHz 以上的高頻下進行穩(wěn)定的測量。使用 N 型連接器進行 2 端子測量，即便配線長，也可以進行穩(wěn)定的測量。
IMPD-EXT
外部擴展測量模式
本模式為外部連接放大器或分流電阻等物進行測量。
可以通過施加高壓信號或檢測微小電壓 / 電流進行單獨使用本儀器無法應(yīng)對的測量。
G-PH
增益/相位測量模式
本模式可以測量濾波器、放大器等的傳輸特性。向被測電路施加掃描信號，高精度地測量其頻率響應(yīng)（增益、相位）。
正面面板測量端子
特點
結(jié)合用途配備豐富的功能！
以適合DUT特性的設(shè)定，支持高重現(xiàn)性且準(zhǔn)確的測量。
準(zhǔn)確的評價基于實際使用的操作條件。
電子零件、電子材料可能因測量頻率及施加的信號級別而表現(xiàn)出不同的特性。電容器和電感器存在因寄生成分引發(fā)的頻率依賴性，二極管等半導(dǎo)體器件由于 DC 偏置疊加而產(chǎn)生特性變化。
要評價真實的特性，重要的是頻率、AC 振幅和 DC 偏置的掃頻，在實際的操作條件下進行測量。
特點
● 掃頻
● 延遲功能
● 標(biāo)記操作
● 測量條件等的設(shè)定
● 自動高密度掃頻
● 順序測量
● 量程
● 誤差校正
● 圖表顯示
豐富的功能
● 共振點跟蹤測量
● 相對介電常數(shù)測量
● 外部基準(zhǔn)時鐘
● 等效電路估算
● 相對導(dǎo)磁率測量
● 存儲器操作
● 壓電常數(shù)計算
● 比較器 / 處理器接口
掃頻 頻率、AC 振幅、DC 偏置、零頻寬
AC 振幅掃描
掃頻
DC 偏置掃頻
零頻寬
不變更頻率、AC 振幅和 DC 偏置的參數(shù)，按恒定的條件進行測量，觀察不同時間的特性變化（橫軸：時間）
● 也能應(yīng)對點測
按恒定的頻率 /AC 振幅 /DC偏置進行測量，以數(shù)值顯示測量結(jié)果。多可以設(shè)定 6 個項目。
與比較器功能組合，可以進行篩選及判定是否合格。
生產(chǎn)線內(nèi)的測量
測量條件等的設(shè)定
在 1 個界面內(nèi)直觀地進行詳細(xì)設(shè)定
設(shè)定項目（SETTING VIEW）
設(shè)定圖表軸
設(shè)定頻率
量程
自動量程
監(jiān)視測量結(jié)果，同時自動設(shè)定合適的量程進行測量。
檢測到超過量程的外部噪聲或直流分量時，重新設(shè)定為更大的量程并重新測量。測量數(shù)據(jù)的變化大時啟用。
固定量程
量程固定，因此不會產(chǎn)生因量程變化引發(fā)的測量值不連續(xù)（段差）。
延遲功能
如果在掃描過程中變更了頻率、AC 振幅等掃描參數(shù)，則瞬態(tài)響應(yīng)將導(dǎo)致測量結(jié)果出現(xiàn)誤差。參數(shù)變更后，可以延遲開始測量的時間。延遲包括“延遲開始測量"和“延遲測量"，前者在開始測量時延遲，后者在掃描過程中每次變更參數(shù)時延遲。
自動高密度掃頻
在掃頻測量中，本功能限定在測量數(shù)據(jù)突變的區(qū)間自動提高頻率密度進行測量。
在壓電振蕩器、晶體振蕩器等的共振特性測量中，本功能在相位急劇變化的共振附近的測量中啟用。
誤差校正
為進行準(zhǔn)確的評價，需根據(jù)測量誤差因子進行校正。
為進行準(zhǔn)確的測量，需適當(dāng)校正殘余阻抗、電纜長度等各種測量誤差因子。
開路校正
減少因殘余導(dǎo)納引起的誤差
短路校正
減少因殘余阻抗引起的誤差
負(fù)載校正
以具有已知值的試樣作為標(biāo)準(zhǔn)阻抗，校正與真值的偏差
端口延長
使用長電纜時，校正因傳輸延遲時間而產(chǎn)生的相位誤差
電位梯度消除
消除測量信號所含的電位波動波形的影響。在由于電池等的充放電會引起電位變化的試樣的測量中啟用
補償
預(yù)先測量連接到外部的傳感器、電纜等測量系統(tǒng)的頻率特性，校正測量系統(tǒng)的誤差成分
輸入加權(quán)碼
校正探頭的衰減量及前置放大器的增益
自行校準(zhǔn)
校正自身誤差
標(biāo)記操作
本功能用于讀取所顯示的圖表中 X、Y1、Y2 的測量值。
多可使用 8 個標(biāo)記。
Δ標(biāo)記 顯示與基準(zhǔn)標(biāo)記（標(biāo)記 1）的差異
ΔTRKG 標(biāo)記
與Δ標(biāo)記同樣顯示差異，移動到標(biāo)記 1 時，保持恒定的掃描值差異，同時進行移動
標(biāo)記搜索功能
可自動搜索與設(shè)定條件一致的點
順序測量
本功能預(yù)先設(shè)定多項所需的測量條件，按照該條件依次進行測量。多可將掃描范圍分割成 32 部分，各范圍內(nèi)按照不同的測量條件進行測量。
可高效地測量因電壓值而使特性發(fā)生變化的多層陶瓷電容器（MLCC）、電感器及變壓器等器件。
圖表顯示
SINGLE 顯示 /SPLIT 顯示
可選擇在 1 個畫面內(nèi)顯示 1 個圖表的“SINGLE"和上下顯示 2 個圖表的“SPLIT"
相位顯示操作
±180°、0°～＋360°、－360°～0°、UNWRAP（連續(xù)顯示）、 360°移位、孔徑（群延遲特性）
跡線操作
可改寫測量數(shù)據(jù)跡線（MEAS）和多 8 條參照數(shù)據(jù)跡線（REF）
自動存儲
本功能在掃描測量結(jié)束后自動將 MEAS 跡線復(fù)制到 REF 跡線中。在隨時間而變化的特性觀測中啟用。
● SPLIT 顯示
● 自動存儲
共振點跟蹤測量
本功能在測量具有共振的試樣時，使測量頻率自動跟蹤試樣的共振頻率。 即使試樣具有振幅依賴性或共振頻率隨時間變化而波動，也可以始終進行與共振頻率一致的測量。本功能便于在壓電元件的共振點附近進行連續(xù)測量。
共振頻率變化（1.6 kHz→1.5858 kHz）、自動跟蹤
等效電路估算
本功能將掃頻測量獲得的阻抗特性應(yīng)用于等效電路模型，從而求出LCR 元件的值（電感值、電容值、電阻值）。準(zhǔn)備有以下 6 種模型。等效電路估算結(jié)果可以用 CSV 格式保存。
等效電路模型
壓電常數(shù)計算
本功能測量壓電陶瓷的頻率 - 阻抗特性，并計算機電耦合系數(shù)和壓電常數(shù)等。
按照 JEITA 標(biāo)準(zhǔn)《EM-4501A 壓電陶瓷振蕩器的電氣試驗方法》規(guī)定的方法計算參數(shù)。
測量結(jié)果顯示
常數(shù)計算畫面
相對介電常數(shù)測量
可以預(yù)先設(shè)定試樣尺寸等信息，將阻抗測量結(jié)果（Cp，Rp）換算為復(fù)相對介電常數(shù)進行顯示。
● 相對介電常數(shù) εs
● 相對介電常數(shù)實部 εs’
● 相對介電常數(shù)虛部 εs"
● 損耗率 Dε
εs’?εs"
εs?Dε
相對導(dǎo)磁率測量
可以預(yù)先設(shè)定試樣尺寸等信息，將阻抗測量結(jié)果（Ls, Rs）換算為復(fù)相對導(dǎo)磁率進行顯示。
● 相對導(dǎo)磁率µs
● 相對導(dǎo)磁率實部 µs’
● 相對導(dǎo)磁率虛部 µs"
● 損耗率 Dµ
µs’?µs"
µs?Dµ
比較器 / 處理器接口 用于生產(chǎn)線!
測量速度 快 0.5 ms/point，縮短了節(jié)拍時間，
并進一步完善了零件篩選功能!!
比較器功能針對測量結(jié)果預(yù)先設(shè)定判定范圍，為篩選試樣而進行分類以及判定是否合格。
比較器設(shè)定畫面
分類判定
本功能多可將判定結(jié)果分為14類。判定結(jié)果
極限判定
本功能在已設(shè)定的范圍內(nèi)判定測量結(jié)果是否合格。
區(qū)域判定
本功能通過X軸(掃描參數(shù))和Y1/Y2軸(測量結(jié)果)的2個維度判定掃描測量結(jié)果是否合格。
處理器接口
可以將比較器的判定結(jié)果輸出到背面面板上配備的處理器接口連接器。通過連接零件處理器，可以構(gòu)建零件的自動判別系統(tǒng)。
外部基準(zhǔn)時鐘
外部的 10MHz 時鐘信號可以用作基準(zhǔn)時鐘。
通過使用精度高于內(nèi)部基準(zhǔn)時鐘的基準(zhǔn)時鐘，可以提高測量頻率的精度和穩(wěn)定性。
此外，通過采用與其他儀器通用的基準(zhǔn)時鐘，可以共享頻率精度。
配備于背面面板
存儲器操作
測量條件及測量數(shù)據(jù)可以保存到內(nèi)存或 USB 存儲器中，也可以進行讀取。
● 用于電化學(xué)阻抗特性測量
配備用于測量各種電化學(xué)阻抗的功能，例如測量電池的內(nèi)部阻抗等。
● 可以從超低頻10μHz開始測量
● 利用電位梯度消除功能，抑制充放電對電位變化測量的影響
● 利用0° SYNC功能，在相位0°處變更測量頻率，使測量前后對試樣的電荷轉(zhuǎn)移量為零。
● 利用測量同步驅(qū)動功能，僅在測量過程中輸出信號，
從而將施加信號產(chǎn)生的電池負(fù)擔(dān)減輕到小限度。測量例
測量實績數(shù)據(jù) (各類電子元件以及電子材料)
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電容器
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電感器
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電阻器
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壓電元件
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液體
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電路
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電容器
●0.1μF 電容 (引腳元件)
電容頻率測量
標(biāo)準(zhǔn)測量模式 (IMPD-3T)
●0.1μF 電容 (引腳元件)
阻抗頻率測量
標(biāo)準(zhǔn)測量模式 (IMPD-3T)
●4.7μF 電容器 (SMD元件)
電容ESR測量
標(biāo)準(zhǔn)測量模式 (IMPD-3T)
電感器
●10μH 電感器 (SMD元件)
自諧振頻率測量
標(biāo)準(zhǔn)測量模式 (IMPD-3T)
●RFID傳輸用天線電感器 (PCB裝機)
共振頻率測量
高頻測量模式 (IMPD-2T)
●220μH 線圈電感器
自諧振頻率測量
標(biāo)準(zhǔn)測量模式 (IMPD-3T)
電阻器
●50MΩ 電阻器
高阻抗測量
外部擴張測量模式 (IMPD-EXT)
連接外部寬頻電流放大器 (SA-604F2) 所測量壓電元件
●壓電陶瓷振蕩器
共振頻率測量
標(biāo)準(zhǔn)測量模式 (IMPD-3T)
利用marker操作，顯示共振點的數(shù)值共振頻率測量
標(biāo)準(zhǔn)測量模式 (IMPD-3T)
使用marker操作，顯示共振點·共振點的數(shù)值液體
●純凈水
阻抗頻率測量
標(biāo)準(zhǔn)測量模式 (IMPD-3T)
使用液體測量治具所測量介電常數(shù)測量
通過左邊的阻抗頻率測試結(jié)果所計算出的介電常數(shù)數(shù)值 (εs′, εs")
電路
●CR濾波器 (fc≒10 MHz)
增益/相位測量 (G-PH)
增益/相位測量模式
技術(shù)規(guī)格
機型
ZA56730
頻率范圍
20Hz~36MHz
測試參數(shù)
L（電感）、Q（品質(zhì)因素）、D（消耗因素）、C（電容）、Z（阻抗）、X（電抗）、ACR（交流電阻）、θ（相位角）、Y（導(dǎo)納）、G（電導(dǎo)）、 B（電納）、V、I、εs（介電常數(shù)）、Dε（損耗率）、μs（磁導(dǎo)率）、G-PH（增益/相位）
參數(shù)范圍
Z, R, X： 10μΩ ~ 100GΩ
G, Y, B： 0.01mS ~ 999.999GS
L： 0.01nH ~ 2kH
C： 1aF ~999.999GF
D： 0.00001 ~ 99999.9
Q： 0.00001 ~ 99999.9
εs、μs：1a ~999.999G
Dε、Dμ :0.00001 ~ 99999.9
V：0 ~9.99999 Vrms
I：0 ~99.9999 mArms
dB：-999.999dB ~ 999.999 dB
θ: -180.000 o ~ +179.999 o ；0.000 o ~ +360.000 o
AC信號電平
0.01 mVrms ~ 3 Vrms ； 0.1 μArms ~ 60 mArms
輸出阻抗
50Ω
等效電路
六種等效電路模型
直流偏置
內(nèi)置偏壓：-5 V ~ +5 V； -40 V ~ +40 V（1 KHz以上）
內(nèi)置偏流：-100 mA ~ 100 mA
測量模式
標(biāo)準(zhǔn)測量（IMPD-3T）
高頻測量（IMPD-2T）
外部擴展測量（IMPD-EXT）
增益·相位測量(G-PH)
通信接口
GPIB、LAN、USB、RS-232
擴展連接器
AUX連接器
存儲
內(nèi)存32組（每種測量模式）；外部USB存儲器
溫濕度
溫度0℃~+40℃（操作）、0 ~ 85%RH
輸入電壓
使用電源AC100V ~ 230V ±10% （可自動切換），頻率50Hz / 60Hz ± 2Hz
標(biāo)準(zhǔn)配件
操作手冊、電源線、PA-001-3234標(biāo)準(zhǔn)治具、PA-0013233標(biāo)準(zhǔn)電阻（100Ω）
外形尺寸(mm)
430（W）×177(H)× 350(D)
凈重量
約7Kg
訂貨信息Ordering Information
ZA57630 精密阻抗分析儀36MHz
配件選配Options
1011 DIP測試夾具
1020 薄膜測試治具≤ 40 MHz1012 SMD二線式測試治具 ≤ 120 MHz
1022 液體測試治具≤ 40 MHz1014 SMD四線式測試治具 ≤ 120 MHz
1024 SMD二線式測試治具 ≤ 120 MHz1025 二線式接觸式測試治具 ≤20 MHz
1032 SMD二線式測試治具 ≤ 120 MHz40120 SMD鑷子式測試治 ≤ 3 MHz
10324 SMD四線式測試治具 ≤ 120 MHz1EV1905A 探針式測試治具≤ 3 MHz
1EV1505 四線式測試夾具ZM2366 三端式測試夾具≤ 10 MHz
ZM232A6 三端式測試夾具 ≤ 1.2 MHz40125 SMD鑷子式測試治具 ≤ 120 MHz
ZM2363 DIP四線式測試夾具≤ 10 MHzPA-0013233 標(biāo)準(zhǔn)電阻（100Ω）
ZM2394 SMD二線式測試夾具≤ 2 MHzPA-001-3234 標(biāo)準(zhǔn)治具
ZM2394H SMD二線式測試夾具≤ 30 MHz1EVA40100 測試夾（細(xì)齒）≤ 3 MHz
1EVA40180 測試夾（粗齒）≤ 3 MHz
